TEM à émission de champ | TH-F120

Microscope électronique à balayage à émission de champ (FE-SEM) avec colonnes à faisceau d'ions focalisé (FIB) Le microscope électronique à balayage à faisceau d'ions focalisé CIQTEK DB550 (FIB-SEM) dispose d'une colonne de faisceau d'ions focalisé pour la nano-analyse et la préparation d'échantillons. Il utilise la technologie d'optique électronique « super tunnel », une faible aberration et une conception d'objectif non magnétique, et possède la fonction « basse tension, haute résolution » pour garantir ses capacités analytiques à l'échelle nanométrique. Les colonnes d'ions facilitent une source d'ions de métal liquide Ga+ avec des faisceaux d'ions très stables et de haute qualité pour garantir les capacités de nanofabrication. Le DB550 est une station de travail de nano-analyse et de fabrication tout-en-un avec un nano-manipulateur intégré, un système d'injection de gaz et un logiciel GUI convivial.

Microscope électronique à balayage à grande vitesse pour l'imagerie à grande échelle de échantillons de grand volume CIQTEK HEM6000 intègre des technologies telles que le canon à électrons à courant large et à haute luminosité, le système de déviation du faisceau d'électrons à grande vitesse, la décélération de l'étage d'échantillonnage à haute tension, l'axe optique dynamique et l'objectif combiné électromagnétique et électrostatique à immersion. pour obtenir une acquisition d'images à grande vitesse tout en garantissant une résolution à l'échelle nanométrique. Le processus de fonctionnement automatisé est conçu pour des applications telles qu'un flux de travail d'imagerie haute résolution sur de grandes surfaces plus efficace et plus intelligent. La vitesse d'imagerie peut atteindre plus de 5 fois celle d'un microscope électronique à balayage à émission de champ classique (FESEM).

La microscopie électronique à balayage par émission de champ à ultra haute résolution (FESEM) reprend les limites Le CIQTEK SEM5000X est un FESEM ultra haute résolution avec une conception de colonne d'optique électronique optimisée, réduisant les aberrations globales de 30 %, atteignant une ultra haute résolution de 0,6 nm à 15 kV et 1,0 nm à 1 kV. . Sa haute résolution et sa stabilité le rendent avantageux dans la recherche avancée sur les matériaux nanostructuraux, ainsi que dans le développement et la fabrication de puces IC à semi-conducteurs à nœuds de haute technologie.

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