The CIQTEK DB550 dual-beam FIB-SEM brings together high-resolution electron imaging and precision ion beam processing on a single platform. CIQTEK has validated its DB550 Focused Ion Beam Scanning Electron Microscope (FIB-SEM) on real 5nm process node chip samples, demonstrating production-ready TEM sample preparation with intact fin structures, zero amorphization, and clearly resolved film layers. The results confirm that the DB550 meets the exacting demands of advanced semiconductor failure analysis labs working at the cutting edge of process technology. In advanced chip research and manufacturing, two tools matter above all others. The Transmission Electron Microscope (TEM) lets you see structures at the atomic scale. But before you can look, you need a sample thin enough for electrons to pass through. That is where the dual-beam FIB-SEM comes in. It is the precision workshop that prepares those ultra-thin specimens. Meet the DB550: One Platform for Imaging and Nanoscale Processing The CIQTEK DB550 FIB-SEM integrates two powerful capabilities onto a single platform. On one side, a scanning electron microscope (SEM) delivers high-resolution surface imaging. On the other, a focused ion beam (FIB) performs nanoscale material removal with surgical precision. Together, they bridge the gap between observation and fabrication at dimensions measured in billionths of a meter. At the heart of the DB550 sits a low-voltage, high-resolution electron column paired with CIQTEK's proprietary "Chengying" ion column, developed entirely in-house. The Chengying column is the engine behind the system's nanoscale cutting and etching capabilities. CIQTEK controls the full design and manufacturing pipeline for this critical component. The 5nm Challenge: Why Sample Preparation Gets Harder at Every Node At 5nm and below, chip architectures rely on fin-type field-effect transistors (FinFETs) with fin widths and pitches measured in just a few nanometers. The DB550 is designed to handle the full sample preparation workflow for these demanding process nodes. It starts with high-current rough cutting to quickly remove bulk material and reach the target region. Then it transitions to low-voltage fine polishing to thin the sample to TEM-ready dimensions without damaging the delicate structures underneath. TEM Validation: The Proof Is in the Image CIQTEK prepared a 5nm process node chip sample on the DB550 and transferred it to a TEM for characterization. The results speak for themselves. TEM characterization of a 5nm chip sample prepared on the DB550 shows intact fin structures with clear, well-defined film layers and no amorphization damage. The TEM images revealed that the fin structures remained completely intact after FIB preparation. There was no detectable amorphization in the silicon crystal lattice. The individual film layers appeared clear and sharply defined in the TEM cross-section. These results validate the dual-beam sample preparation performance of the DB550 on...

Une équipe gagnante : SEM + FIB, la « combinaison en or » CIQTEK réunit les technologies SEM et FIB en une équipe performante, fournissant un soutien essentiel pour l'optimisation des processus de fabrication des circuits imprimés, la vérification de la fiabilité et la détermination des causes profondes des défaillances. Imagerie MEB haute résolution : le « microscope » des détails de surface Le MEB Utilisant un faisceau d'électrons haute résolution, cette technique permet de capturer des images nettes de la morphologie de surface des circuits imprimés. Elle révèle avec une clarté exceptionnelle le placage des plots de soudure, les composés intermétalliques, les microfissures, les excroissances d'étain et la contamination par des particules étrangères. Associé à la spectroscopie des rayons X à dispersion d'énergie (EDS), le MEB réalise également une analyse élémentaire sur des zones microscopiques. Cette combinaison permet aux ingénieurs d'identifier la signature chimique des défauts, facilitant ainsi la détection de problèmes tels que les courts-circuits, les circuits ouverts, la corrosion et les anomalies de placage. Découpe nanométrique par FIB : le « scalpel » des structures internes Si le MEB excelle dans l'imagerie de surface, le FIB prend le relais lorsqu'il s'agit d'observer l'intérieur d'une carte. Grâce à un faisceau d'ions de précision nanométrique, le FIB réalise des coupes transversales ciblées à l'emplacement exact du défaut. Il prépare des tranches ultra-minces à travers les cartes multicouches, les vias borgnes et les vias enterrés, révélant des structures internes inaccessibles par sectionnement mécanique. Considérez le FIB comme un instrument chirurgical microscopique. Il enlève de la matière avec une précision nanométrique, laissant une section transversale nette, prête pour l'imagerie et l'analyse. Présentation des semi-conducteurs CIQTEK : Voyez-les en action La beauté du monde microscopique, révélée dans les moindres détails. Voici des exemples concrets de Microscopes électroniques CIQTEK observation de la section transversale des PCB : Panorama de l'interface de joint de soudure Observation à faible grossissement de la morphologie générale du condensateur, permettant de visualiser la structure microscopique réelle de l'interface de la soudure du condensateur depuis l'intérieur. Évaluation de la couche IMC Évaluation de l'adhérence intercouche, mesure de l'épaisseur et de l'uniformité de la couche intermétallique, détection des vides, des fissures et des défauts d'interface Structure interne du panneau multicouche Observation claire de la morphologie, de l'épaisseur, de la continuité et de la densité de la couche IMC à l'interface entre la pastille de soudure et la soudure. Évaluation de la fiabilité des processus Évaluation du tracé des pistes, de leur épaisseur, de la qualité de la gravure et de la liaison cuivre-substrat ; détection des décalages de lignes, des défauts de gravure, du délaminage et des vides ; analyse de l...

La température n'est pas seulement un paramètre environnemental résonance paramagnétique électronique (RPE) La spectroscopie RPE est un paramètre expérimental fondamental, au même titre que la puissance des micro-ondes et l'amplitude du champ magnétique. En choisissant la température adéquate, vous obtenez des signaux plus nets, une sensibilité accrue et des détails structuraux inaccessibles aux mesures à température ambiante. À l'inverse, un mauvais choix peut entraîner la disparition complète du signal. Ce guide explique les principes physiques de la RPE à température variable et vous aide à sélectionner la configuration optimale pour vos échantillons. Pourquoi la température est si importante en EPR Chaque expérience de RPE soulève trois questions : comment la température modifie-t-elle l’environnement de spin microscopique ? Comment affecte-t-elle l’interprétation spectrale ? Et quels systèmes nécessitent absolument des mesures à température variable ? Analysons cela plus en détail. Refroidissement : le moyen le plus simple d’améliorer la sensibilité Le signal RPE repose sur un principe simple : les électrons non appariés occupent deux niveaux d’énergie de spin, et c’est la différence de population entre ces niveaux que nous détectons. Dans un champ magnétique externe B 0 , les spins des électrons subissent Séparation Zeeman , créant deux niveaux avec m s = +1/2 et m s = -1/2. L'écart énergétique entre eux est : Le distribution de Boltzmann Elle détermine la façon dont les électrons peuplent ces niveaux. Le rapport de peuplement dépend très directement de la température : Voici ce que cela signifie en pratique. L'intensité du signal RPE est proportionnelle à la différence de population entre les deux niveaux. Cette différence est inversement proportionnelle à la température (1/T). Autrement dit, plus la température est basse, plus le signal est fort. Point final. La température étant une variable indépendante et parfaitement contrôlable, refroidir l'échantillon est la méthode la plus fondamentale et directe pour augmenter la sensibilité absolue. spectroscopie RPE . Spectres RPE d'un échantillon de charbon faiblement carboné mesurés à différentes températures. Les basses températures produisent des signaux nettement plus intenses. (Mesures effectuées sur un système RPE CIQTEK.) Le refroidissement ralentit la relaxation, révélant des signaux cachés. La température n'affecte pas seulement la force du signal. Elle contrôle également relaxation de spin ce qui détermine si un signal peut être détecté. La relaxation en résonance magnétique se divise en deux catégories. Relaxation spin-réseau (T 1 ). Il s'agit du processus par lequel les spins excités échangent de l'énergie avec le réseau cristallin environnant. Ce processus est très sensible à la température. À température ambiante, les vibrations du réseau sont vigoureuses. Les spins excités dissipent rapidement leur énergie, donc T 1 est court. Refroidissez le système, et vous « gèlez » efficaceme...