La diffraction d'électrons rétrodiffusés (EBSD) est une technique de microscopie largement utilisée en science des matériaux. Elle analyse les angles et les différences de phase des électrons rétrodiffusés produits lorsqu'un échantillon interagit avec un faisceau d'électrons de haute énergie afin de déterminer des caractéristiques clés telles que la structure cristalline et l'orientation des grains. Comparée à une méthode traditionnelle, elle estSmise en conserve Electron Mmicroscope (SEM)L'EBSD offre une résolution spatiale plus élevée et peut obtenir des données cristallographiques au niveau submicrométrique, offrant des détails sans précédent pour l'analyse des microstructures des matériaux. Caractéristiques de la technique EBSD L'EBSD combine les capacités de microanalyse deMicroscope électronique à transmission (TEM) et les capacités d'analyse statistique à grande échelle de la diffraction des rayons X. L'EBSD est réputé pour son analyse de structure cristalline de haute précision, son traitement rapide des données, sa simplicité de préparation des échantillons et sa capacité à combiner les informations cristallographiques et la morphologie microstructurale dans la recherche en science des matériaux. Un MEB équipé d'un système EBSD fournit non seulement des informations sur la micromorphologie et la composition, mais permet également l'analyse de l'orientation microscopique, facilitant ainsi grandement le travail des chercheurs. Application de l'EBSD en SEM En MEB, l'interaction d'un faisceau d'électrons avec l'échantillon génère divers effets, notamment la diffraction des électrons sur des plans cristallins disposés régulièrement. Ces diffractions forment un « diagramme de Kikuchi », qui non seulement renseigne sur la symétrie du système cristallin, mais correspond également directement à l'angle entre les plans cristallins et les axes cristallographiques, en relation directe avec le type de système cristallin et les paramètres du réseau. Ces données peuvent être utilisées pour identifier les phases cristallines grâce à la technique EBSD. Pour les phases cristallines connues, l'orientation du diagramme de Kikuchi correspond directement à celle du cristal. Composants du système EBSD Pour effectuer une analyse EBSD, un ensemble d'équipements comprenant unSMicroscope électronique de mise en conserve Un système EBSD est nécessaire. Le cœur du système est le MEB, qui produit un faisceau d'électrons de haute énergie et le focalise sur la surface de l'échantillon. La partie matérielle du système EBSD comprend généralement une caméra CCD sensible et un système de traitement d'images. La caméra CCD capture les images des électrons rétrodiffusés, tandis que le système de traitement d'images effectue la moyenne des motifs et la soustraction de l'arrière-plan afin d'extraire des motifs Kikuchi clairs. Fonctionnement du détecteur EBSD L'obtention de diagrammes de Kikuchi EBSD au MEB est relativement simple. L'échantillon est fortement incliné par rappor...

La technologie du faisceau d'ions focalisés (FIB) est devenue un élément essentiel des avancées technologiques modernes, notamment dans la fabrication de semi-conducteurs et la nanofabrication. Si la technologie FIB est bien connue, son histoire et son développement sont peu connus.Faisceau d'ions focalisés (FIB) est un instrument de micro-coupe qui utilise des lentilles électromagnétiques pour focaliser un faisceau d'ions dans une très petite zone.La FIB consiste à accélérer les ions provenant d'une source d'ions (la plupart des FIB utilisent Ga, mais certains appareils ont des sources d'ions He et Ne), puis à focaliser le faisceau sur la surface de l'échantillon.Microscope électronique à balayage à faisceau d'ions focalisés (FIB-SEM) CIQTEK DB550 Origine de la technologie FIB Depuis le XXe siècle, les nanotechnologies se sont rapidement développées pour devenir un domaine scientifique et technologique émergent. Elles représentent aujourd'hui l'un des domaines de pointe du progrès scientifique et technologique et ont des implications importantes pour le développement économique et social en tant que stratégie nationale. Les nanostructures possèdent des propriétés uniques grâce à leurs unités structurales proches de la longueur de cohérence des électrons et de la longueur d'onde de la lumière, ce qui entraîne des effets de surface et d'interface, des effets de taille et des effets de taille quantique. Elles présentent de nombreuses caractéristiques innovantes en électronique, magnétisme, optique et mécanique, et recèlent un potentiel considérable pour les applications de dispositifs haute performance. Le développement de structures et de dispositifs nanométriques innovants nécessite le développement de techniques de micro-nanofabrication précises, multidimensionnelles et stables. Les procédés de micro-nanofabrication sont complexes et font généralement appel à des techniques telles que l'implantation ionique, la photolithographie, la gravure et le dépôt de couches minces. Ces dernières années, avec la tendance à la miniaturisation des processus de fabrication modernes, la technologie du faisceau d'ions focalisés (FIB) a été de plus en plus appliquée à la fabrication de micro-nanostructures dans divers domaines, devenant une technique indispensable et importante dans la micro-nanofabrication.La technologie FIB est basée sur les systèmes conventionnels à faisceau d'ions et à faisceau d'électrons focalisés, et est essentiellement la même. Comparée aux faisceaux d'électrons, la FIB balaye la surface de l'échantillon à l'aide d'un faisceau d'ions généré par une source d'ions après accélération et focalisation. Les ions ayant une masse bien supérieure à celle des électrons, même les ions les plus légers, comme les ions H+, ont une masse plus de 1 800 fois supérieure à celle des électrons. Cela permet au faisceau d'ions d'atteindre des capacités d'imagerie et d'exposition similaires à celles des faisceaux d'électrons, et d'exploiter la masse importante ...

Créer une image parfaite requiert une combinaison de connaissances théoriques et d'expérience pratique, ainsi qu'un équilibre entre de nombreux facteurs. Ce processus peut se heurter à des difficultés lors de l'utilisation de Microscope électronique. UNstigmatisme L'astigmatisme est l'une des corrections d'image les plus difficiles à réaliser et nécessite de la pratique. L'image du milieu de la figure suivante est une image correctement mise au point après correction de l'astigmatisme. Les images de gauche et de droite illustrent une mauvaise correction de l'astigmatisme, entraînant des bandes étirées. Pour obtenir une imagerie précise, la section transversale de lafaisceau d'électronsLa sonde doit être circulaire lorsqu'elle atteint l'échantillon. La section transversale de la sonde peut se déformer et prendre une forme elliptique. Cela peut être dû à divers facteurs, tels que la précision d'usinage et des défauts dans la pièce polaire magnétique ou le bobinage en cuivre de la bobine ferromagnétique. Cette déformation, appelée vignettage, peut entraîner des difficultés de mise au point. Grave aLe stigmatisme est l'une des corrections les plus difficiles à réaliser sur une image et nécessite de la pratique. L'image du milieu de la figure suivante est une image correctement mise au point après correction de l'astigmatisme. Les images de gauche et de droite illustrent une mauvaise correction de l'astigmatisme, entraînant des bandes étirées. Ces bandes peuvent se manifester par des « bandes » dans l'axe X de l'image. Lorsque l'image passe d'une sous-mise au point à une sur-mise au point, les bandes s'orientent vers l'axe Y. Une mise au point précise permet d'obtenir une mise au point correcte si la taille du spot est appropriée. Lorsqu'il est agrandi environ 10 000 fois, s'il n'y a pas de rayures dans les deux sens lorsque l'objectif est réglé pour sous-focaliser ou sur-focaliser, on considère généralement qu'il n'y a pas de unstigmatismedans l'image. Unstigmatisme est généralement négligeable dans les images dont le grossissement est inférieur à 1000 fois. La meilleure approche pour corriger le vignettage est de définir les décalages du vignetteur X et Y à zéro (c'est-à-dire sans unstigmatisme correction) puis effectuez la mise au point la plus fine possible. Ajustez ensuite les axes X et Y. unstigmatisme contrôle (ne peut pas être réglé simultanément) pour obtenir la meilleure image et refaire la mise au point. Effets de bord Les effets de bord se produisent en raison d'une améliorationElémission d'électronsSur les bords de l'échantillon. Les effets de bord sont dus à l'influence de la morphologie sur la génération d'électrons secondaires et sont également à l'origine du contour de l'image produite par le détecteur d'électrons secondaires. Les électrons se dirigent préférentiellement vers les bords et les pics et émettent depuis ces derniers, ce qui entraîne une intensité de signal plus faible dans les zones obstruées par le détecteur, comme les c...

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Basé sur le D faisceau E lectron M icroscope DB550 contrôlé indépendamment par Ciqtek , le T ransmission E lectron M Icroscope (TEM) La préparation des échantillons à l'échelle nanométrique de puces de nœuds de processus de 28 nm a été réalisée avec succès. La vérification TEM peut clairement analyser les dimensions clés de chaque structure, fournissant une solution de détection de précision domestique pour l'analyse des défauts du processus semi-conducteur et l'amélioration du rendement.