fib sem microscopy

FIB-SEM | DB550

Microscope électronique à balayage à émission de champ à faisceau d'ions focalisés Ga+

Le Microscope électronique à balayage à faisceau d'ions focalisés (FIB-SEM) CIQTEK DB550 Il est équipé d'une colonne à faisceau ionique focalisé pour la nanoanalyse et la préparation d'échantillons. Il utilise la technologie d'optique électronique « super tunnel », une faible aberration et un objectif amagnétique, et dispose de la fonction « basse tension et haute résolution » pour garantir ses capacités d'analyse à l'échelle nanométrique.

Les colonnes ioniques fournissent une source d'ions métal liquide Ga+ avec des faisceaux d'ions extrêmement stables et de haute qualité, garantissant ainsi la nanofabrication. Le DB550 est une station de travail tout-en-un pour l'analyse et la fabrication de nanoparticules, dotée d'un nanomanipulateur intégré, d'un système d'injection de gaz et d'une interface utilisateur intuitive.

FIB-SEM features

1. « Super Tunnel » " technologie de colonne optique électronique/décélération du faisceau dans la colonne

Réduit l'effet de charge spatiale, garantissant des performances de résolution à basse tension.

2. Sans croisement dans le trajet du faisceau d'électrons

Réduisez efficacement les aberrations de l’objectif et améliorez la résolution.

3. Objectif composé électromagnétique et électrostatique

Réduisez les aberrations, améliorez considérablement la résolution à basse tension et permettez l'observation d'échantillons magnétiques.

4. Objectif à température constante refroidi par eau

Assurer la stabilité, la fiabilité et la répétabilité des performances de l’objectif.

5. Système de commutation d'ouverture multi-trous variable par déviation de faisceau électromagnétique

La commutation automatique entre les ouvertures sans mouvement mécanique permet une commutation rapide entre différents modes d'imagerie.

Points forts techniques du CIQTEK DB550 FIB-SEM

FIBSEM - Focused Ion Beam Column

Colonne à faisceau d'ions focalisés (FIB)

Résolution : 3 nm à 30 kV

Courant de sonde : 1 pA à 65 nA

Plage de tension d'accélération : 0,5 kV à 30 kV

Intervalle d'échange de la source d'ions : ≥ 1 000 heures

Stabilité : 72 heures de fonctionnement ininterrompu


FIBSEM - Nano-manipulator

Nano-manipulateur

Chambre montée à l'intérieur

Trois axes entièrement entraînés par piézoélectrique

Précision du moteur pas à pas ≤ 10 nm

Vitesse de déplacement maximale 2 mm/s

Système de contrôle intégré


FIBSEM - Ion Beam-Electron Beam Collaboration

Collaboration faisceau d'ions-faisceau d'électrons


FIBSEM - Gas Injection System

Système d'injection de gaz

Conception SIG unique

Différentes sources de précurseurs de gaz disponibles

Distance d'insertion de l'aiguille ≥ 35 mm

Répétabilité du mouvement ≤10 μm

Répétabilité du contrôle de la température de chauffage ≤ 0,1 °C

Plage de chauffage : de la température ambiante à 90 °C (194 °F )

Système de contrôle intégré

>> Semi-conducteur

Dans l'industrie des semi-conducteurs, les puces de circuits intégrés peuvent subir diverses défaillances. Différentes méthodes sont utilisées pour analyser les puces afin d'en améliorer la fiabilité. L'analyse par faisceau d'ions focalisés (FIB) est notamment une technique d'analyse fiable.

Caractérisation d'échantillons / Fabrication micro-nano / Analyse de sections transversales / Préparation d'échantillons TEM / Analyse des défaillances

>> Industrie des nouvelles énergies

Observation et analyse de sections transversales de matériaux pour la recherche et le développement de procédés.

Observation de la morphologie / Analyse de la taille des particules / Analyse de la section transversale / Analyse de la composition et des phases / Analyse des défaillances du matériau de la batterie lithium-ion / Échantillon TEM P réparation

>> Matériau céramique

Analyse des matériaux : Le système FIB-SEM peut effectuer un micro-nano-usinage et une imagerie de haute précision des matériaux céramiques, combinés à divers modes de détection de signaux tels que les électrons rétrodiffusés (BSE), la spectroscopie de rayons X à dispersion d'énergie (EDX), le diagramme de diffraction des électrons rétrodiffusés (EBSD) et la spectrométrie de masse des ions secondaires (SIMS), pour étudier le matériau à l'échelle micro à nano avec un espace tridimensionnel en profondeur.

>> Matériau en alliage

Pour augmenter la résistance, la dureté, la ténacité, etc., des métaux, d'autres substances telles que la céramique, les métaux, les fibres, etc., sont ajoutées au métal à l'aide de méthodes telles que la métallurgie, le moulage, l'extrusion, etc., qui sont appelées phases renforcées.

Les échantillons TEM préparés par un FIB-SEM permettent d'observer des informations telles que les phases renforcées et les atomes de frontière grâce à des signaux électroniques transmis. Ils peuvent être utilisés pour l'analyse par diffraction de Kikuchi par transmission (TKD), l'analyse métallographique, l'analyse compositionnelle et les essais in situ de la section transversale des alliages.

Interface utilisateur graphique

FIB-SEM software

Plateforme d'interface utilisateur hautement intégrée

Les fonctions d'imagerie et de traitement du microscope SEM sont intégrées dans une interface utilisateur globale, avec des références comparatives affichées à gauche et à droite.

FIB-SEM software

Accessoires matériels et interfaces utilisateur développés en interne tels que le système d'injection de gaz et le nano-manipulateur, conception intuitive de la mise en page pour une utilisation facile.

Détecteur Everhart-Thornley (ETD)


Détecteur d'électrons intégré à la lentille


Détecteur d'électrons rétrodiffusés rétractable (BSED) *Facultatif


Détecteur de microscopie électronique à transmission à balayage (STEM) *Facultatif


Sas d'échange d'échantillons

Réduit efficacement la contamination de la chambre Conception de rail de guidage linéaire, ouverture et fermeture de type tiroir.


Progrès en microscopie électronique CIQTEK : plus d'options

>> Spectrométrie dispersive en énergie

>> Catholuminescence

>> EBSD

Spécifications du CIQTEK FIB-SEM DB550
Optique électronique Type de canon à électrons Canon à électrons à émission de champ Schottky haute luminosité
Résolution 0,9 nm à 15 kV ; 1,6 nm à 1 kV
Tension d'accélération 0,02 kV à 30 kV
Système de faisceau d'ions Type de source d'ions Gallium
Résolution 3 nm à 30 kV
Tension d'accélération 0,5 kV à 30 kV
Chambre d'échantillons Système de vide Contrôle entièrement automatique, système de vide sans huile
Caméras

Trois caméras

(Navigation optique x1 + moniteur de chambre x2)

Type de scène Platine d'échantillons eucentrique mécanique motorisée à 5 axes
Gamme de scènes

X=110 mm, Y=110 mm, Z=65 mm

T : -10°~+70°, R : 360°

Détecteurs et extensions SEM Standard

Détecteur d'électrons intégré à la lentille

Détecteur Everhart-Thornley (ETD)

Facultatif

Détecteur d'électrons rétrodiffusés rétractable (BSED)

Détecteur rétractable pour microscopie électronique à transmission et balayage (STEM)

Spectromètre à dispersion d'énergie (EDS/EDX)

Diagramme de diffraction des électrons rétrodiffusés (EBSD)

Nano-manipulateur

Système d'injection de gaz

Nettoyeur plasma

Sas d'échange d'échantillons

Panneau de commande à boule de commande et bouton

Interface utilisateur Langues Anglais
Système opérateur Windows
Navigation Navigation optique, navigation rapide par gestes
Fonctions automatiques Luminosité et contraste automatiques, mise au point automatique, stigmatisation automatique
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